日本研制出高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的硅基量子點(diǎn)激光器

時間:2013-09-13

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:采用晶圓鍵合工藝研制的硅上III-V族量子點(diǎn)激光器有望在高密度光子集成電路中實(shí)現(xiàn)溫度穩(wěn)定的運(yùn)行。

了鍵合在硅基底上的1.3m量子點(diǎn)(QD)激光二極管(發(fā)表在《應(yīng)用物理快報(bào)》2013年第六期,作者KatsuakiTanabe等)。光子電路通常以硅為基底,但目前的光源通常采用化合物半導(dǎo)體研制。

特別是,研究人員正在尋求大溫度范圍下穩(wěn)定工作的器件,以實(shí)現(xiàn)更高的工作溫度。東京大學(xué)的器件是采用硅摻雜部分P型砷化鎵(GaAs)壁壘結(jié)合自行聚合砷化銦(InAs)形成量子點(diǎn),以構(gòu)建激光二極管的有源發(fā)光區(qū)域,再將這些器件鍵合到硅基底上。

有源區(qū)域由8層P-GaAs壁壘中自行聚合的InAs量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)組成。每層的點(diǎn)密度為6×1010/cm2。試驗(yàn)中對直接和金屬介導(dǎo)兩種鍵合工藝進(jìn)行了測試,兩種工藝研制的器件均可在超過100℃的條件下發(fā)射1.3m(光通信的O波段)的激光。

中傳動網(wǎng)版權(quán)與免責(zé)聲明:

凡本網(wǎng)注明[來源:中國傳動網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權(quán)均為中國傳動網(wǎng)(m.y3602.cn)獨(dú)家所有。如需轉(zhuǎn)載請與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個人轉(zhuǎn)載使用時須注明來源“中國傳動網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責(zé)任。

本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權(quán)屬于原版權(quán)人。轉(zhuǎn)載請保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負(fù)版權(quán)法律責(zé)任。

如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

關(guān)注伺服與運(yùn)動控制公眾號獲取更多資訊

關(guān)注直驅(qū)與傳動公眾號獲取更多資訊

關(guān)注中國傳動網(wǎng)公眾號獲取更多資訊

最新新聞
查看更多資訊

熱搜詞
  • 運(yùn)動控制
  • 伺服系統(tǒng)
  • 機(jī)器視覺
  • 機(jī)械傳動
  • 編碼器
  • 直驅(qū)系統(tǒng)
  • 工業(yè)電源
  • 電力電子
  • 工業(yè)互聯(lián)
  • 高壓變頻器
  • 中低壓變頻器
  • 傳感器
  • 人機(jī)界面
  • PLC
  • 電氣聯(lián)接
  • 工業(yè)機(jī)器人
  • 低壓電器
  • 機(jī)柜
回頂部
點(diǎn)贊 0
取消 0