晶電研發(fā)中心發(fā)表IR 850nm高效率發(fā)光產(chǎn)品
晶元光電研發(fā)中心(EPISTARLAB)技術團隊積極投入研發(fā),近日成功開發(fā)并導入許多前瞻性技術,如新穎性透明導電薄膜(TCO)材料、復合式反射鏡結構、減少光線吸收之磊晶設計等。EPISTARLAB將相關技術導入后,有效地增加光子萃取效率,已大幅提升IR產(chǎn)品效能,創(chuàng)下多項新紀錄。
根據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示(如附圖),SFPN42芯片尺寸1x1mm2,實驗室環(huán)境中在操作電流40mA下,達最高光電轉(zhuǎn)換效率75%;操作電流350mA下WPE大于70%;1A操作電流下.發(fā)光強度更是超越了1W,達輸出功率1,027mW,領先各業(yè)界群雄,如此亮眼的水平使LED更趨于省電節(jié)能。
晶元光電秉持著實現(xiàn)LED無限可能之精神,持續(xù)致力于提升產(chǎn)品效能,目前IR850nm產(chǎn)品的應用范圍除了以往的搖控器、開關等傳統(tǒng)應用之外,也包括保全監(jiān)視、智能觸碰屏幕、無線通訊及交通系統(tǒng)等新應用,期望與客戶攜手將LED光源推廣到更具潛力之市場上,并期許能協(xié)助客戶提升競爭優(yōu)勢。

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