意法半導(dǎo)體推出S系列1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管

時間:2015-06-30

來源:網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語:新S系列擁有當(dāng)前1200VIGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat)),可確保更低的壓降與最小的功率耗散,從而簡化熱管理系統(tǒng)

日前,意法半導(dǎo)體推出S系列1200VIGBT絕緣柵雙極晶體管。當(dāng)開關(guān)頻率達到8kHz時,新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場新低,大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。

新S系列擁有當(dāng)前1200VIGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat)),可確保更低的壓降與最小的功率耗散,從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外,正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布,不僅簡化多支晶體管的并聯(lián)設(shè)計,亦滿足更大功率應(yīng)用的要求。極低的電壓過沖和關(guān)斷零振蕩(zerooscillation),幫助電源廠商使用更簡單的外部電路和更少的外部組件。

10μs最小短路耐受時間(在150°C初始結(jié)溫時),無閂鎖(latch-upfreeoperation)效應(yīng),擁有175°C最高結(jié)溫以及寬安全工作區(qū)。多項優(yōu)勢體現(xiàn)了新產(chǎn)品極強的耐用性和可靠性。

作為8kHz最高開關(guān)頻率硬開關(guān)拓撲的理想選擇,新款S系列采用第三代溝柵式場截止(trench-gatefield-stop)型制造工藝,補充并完善了意法半導(dǎo)體1200VIGBT的M系列和H系列的市場布局,M系列和H系列產(chǎn)品分別定位在20kHz與20kHz以上的開關(guān)電源市場,與新款S系列一起,這三大系列產(chǎn)品將成為常用開關(guān)頻率電源廠商針對先進、高能效IBGT器件的最佳選擇。

最新發(fā)布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值,采用標(biāo)準(zhǔn)引腳或TO-247加長引腳封裝。全系產(chǎn)品標(biāo)配最新的內(nèi)部續(xù)流二極管(freewheelingdiode),兼?zhèn)淇焖倩謴?fù)和高恢復(fù)軟度,確保IGBT具有超低電磁干擾和導(dǎo)通損耗。

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