存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。在計算機的運算過程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都會保存在存儲器里，可以說存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。

2016年初在武漢東湖高新區(qū)奠基的國家存儲器基地項目將于12月初正式開工建設(shè)。該項目計劃5年內(nèi)投資1600億元人民幣，以武漢新芯現(xiàn)有12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，著力發(fā)展大規(guī)模存儲器芯片，為中國布局自主性存儲器產(chǎn)業(yè)打下基礎(chǔ)。今年10月以來DRAM價格漲幅接近30%。市場需求將有助于加快存儲器國產(chǎn)化步伐，

存儲器及發(fā)展歷程

根據(jù)存儲器的發(fā)展歷史，我們可以知道他的規(guī)格不斷變遷，當(dāng)前在PC、移動端也得到廣泛地應(yīng)用，行業(yè)發(fā)展也由初期走向成熟。

迭代時間應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)備：

第一代：1947-1957基礎(chǔ)軍事電子管計算機時代

第二代：1958-1964氣象晶體管計算機時代

第三代：1965-1971大型企業(yè)中小規(guī)模集成電路計算機時代

第四代：1972至今普通用戶規(guī)模級集成電路

行業(yè)現(xiàn)狀、未來發(fā)展

目前市場上主流的存儲器呈現(xiàn)三強鼎立的局面——DRAM、NANDFlash和NORFlash。今年第一季度，DRAM市場93%的份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。

現(xiàn)在行業(yè)集中度較高，全球市場供需也由幾大寡頭把持。存儲器未來發(fā)展：1）移動端：如車載技術(shù)等等。2）固態(tài)硬盤驅(qū)動未來Flash需求，路線不同會帶來多元競爭。3）云端存儲也是受到極大關(guān)注。

文章開頭提到我們國家在存儲器領(lǐng)域投入巨大，由于行業(yè)現(xiàn)狀和我國起步較晚等因素，實現(xiàn)國產(chǎn)化還任重道遠(yuǎn)。

我國存儲器現(xiàn)狀及生產(chǎn)企業(yè)

我國近些年一直很關(guān)注存儲器的發(fā)展，2014年，國家頒布實施《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要（2015-2025）》，并成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。2015年，發(fā)展存儲器上升為國家戰(zhàn)略。

在國家政策的刺激下，2016年各地紛紛傳出加碼存儲器芯片的聲音：北京有紫光集團宣布投資300億美元做存儲器，武漢有武漢新芯準(zhǔn)備耗資240億美元打造國家級存儲器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晉江也在躍躍欲試。

綜上所述：國產(chǎn)存儲器要實現(xiàn)量產(chǎn)還需時日，但是當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)政策支持和各地產(chǎn)學(xué)研的不斷努力，在DRAM和NANDFlash領(lǐng)域周期調(diào)整之際是我們加入的好時機，加之現(xiàn)在互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展和云端技術(shù)的不斷成熟，假以時日，我國的存儲器也會在國際上有一席之地。