國產(chǎn)半導(dǎo)體廠拓荊科技上市,從事高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)

時(shí)間:2022-04-24

來源:21ic

導(dǎo)語:根據(jù)此前的招股計(jì)劃,拓荊科技擬募資月10億元,主要用于先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

  4月20日,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技股份有限公司(以下簡稱“拓荊科技”)正式登陸上海證券交易所科創(chuàng)板。

  發(fā)行價(jià)格為71.88元/股,發(fā)行數(shù)量為3,161.9800萬股,成功募資約22.73億元(扣除發(fā)行費(fèi)用后募集資金凈額約為21.28億元),相比之前的計(jì)劃超募了12億元。

  根據(jù)此前的招股計(jì)劃,拓荊科技擬募資月10億元,主要用于先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

  拓荊科技今日開盤后,股價(jià)一度大漲46%,漲至104.96元/股,截至收盤股價(jià)回落至92.30元/股,漲幅28.41%,市值116.74億元。

  助力半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化

  據(jù)招股書顯示,拓荊科技成立于2010年4月,主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成晶圓制造三大核心設(shè)備,也是目前國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商。

  拓荊科技主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列,并已廣泛應(yīng)用于中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲(chǔ)、長鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線,在不同種類芯片制造產(chǎn)線的多道工藝中得到商業(yè)化應(yīng)用,同時(shí)公司已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試,公司在研產(chǎn)品已發(fā)往國際領(lǐng)先晶圓廠參與其先進(jìn)制程工藝研發(fā)。

  憑借長期的技術(shù)研發(fā)和工藝積累,拓荊科技成為較早打破國際巨頭技術(shù)壟斷局面的企業(yè)。公司100%自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研制的PECVD設(shè)備,是國內(nèi)唯一能夠應(yīng)用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線的12英寸全自動(dòng)PEVCD設(shè)備,已用于28nm的集成電路的批量生產(chǎn),同時(shí)具有14-10nm的技術(shù)的延展性,產(chǎn)品性能指標(biāo)表現(xiàn)達(dá)到了世界先進(jìn)水平。

  此外,拓荊科技還建成了我國首個(gè)半導(dǎo)體薄膜設(shè)備生產(chǎn)基地,總建筑面積40,000平方米,包括研發(fā)及生產(chǎn)用十級(jí),百級(jí)和千級(jí)無塵潔凈間。按照發(fā)展規(guī)劃,公司將開展配適10nm以下制程的PECVD產(chǎn)品研發(fā);開發(fā)Thermal ALD 和大腔室PE ALD;同時(shí)升級(jí)SACVD設(shè)備,研發(fā)12英寸滿足28nm以下制程工藝需要的SACVD設(shè)備。

  不過,需要指出的是,與中國大陸半導(dǎo)體專用設(shè)備企業(yè)相比,國際巨頭企業(yè)擁有客戶端先發(fā)優(yōu)勢(shì),產(chǎn)品線豐富、技術(shù)儲(chǔ)備深厚、研發(fā)團(tuán)隊(duì)成熟、資金實(shí)力較強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),國際巨頭還能為同時(shí)購買多種產(chǎn)品的客戶提供捆綁折扣。

  從全球市場(chǎng)份額來看,薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭局面,行業(yè) 基本由應(yīng)用材料(AMAT)、ASMI、泛林半導(dǎo)體(Lam)、東京電子(TEL)等國際巨頭壟斷。2019 年,ALD 設(shè)備龍頭東京電子(TEL)和先晶半導(dǎo)體(ASMI) 分別占據(jù)了 31%和 29%的市場(chǎng)份額,剩下 40%的份額由其他廠商占據(jù);而應(yīng)用 材料(AMAT)則基本壟斷了 PVD 市場(chǎng),占 85%的比重,處于絕對(duì)龍頭地位;在 CVD 市場(chǎng)中,應(yīng)用材料(AMAT)全球占比約為 30%,連同泛林半導(dǎo)體(Lam) 的 21%和 TEL 的 19%,三大廠商占據(jù)了全球 70%的市場(chǎng)份額。




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