臺積電慌了,三星和Intel加速先進工藝研發(fā),迫使它提前上馬1.4nm

時間:2022-05-11

來源:柏銘007

導語:臺積電和三星都宣稱將在今年下半年量產3nm工藝,不過兩者的3nm工藝并不完全相同,三星的3nm工藝更先進。三星的3nm工藝率先引入了GAA FET工藝,臺積電則繼續(xù)采用了FinFET工藝,因此三星3nm在性能、功耗方面都較臺積電更先進。

       臺積電日前宣布已組建團隊研發(fā)1.4nm工藝,而它早前才宣布2nm更先進工藝面臨巨大的困難因此將放緩工藝研發(fā),如今卻忽然宣稱研發(fā)1.4nm,原因或許在于競爭對手三星Intel在先進工藝方面的進展。

       臺積電和三星都宣稱將在今年下半年量產3nm工藝,不過兩者的3nm工藝并不完全相同,三星的3nm工藝更先進。三星的3nm工藝率先引入了GAA FET工藝,臺積電則繼續(xù)采用了FinFET工藝,因此三星3nm在性能、功耗方面都較臺積電更先進。

  三星引入GAA FET工藝不僅有助它在3nm工藝上取得技術領先優(yōu)勢,更有望幫助它在更先進的2nm工藝方面取得領先優(yōu)勢,因為業(yè)界都認為FinFET工藝的極限就是3nm,更先進的2nm工藝必須引入GAA FET工藝。

  給臺積電帶來壓力的還有Intel,Intel此前在2014年量產14nm工藝之后就陷入停滯,10nm工藝延遲到2019年底才量產,隨后它的Intel 4工藝也曾被宣布延遲至明年,但是近期它表示今年下半年就會量產Intel 4工藝。

  Intel 4工藝等效于臺積電的4nm工藝,本來這還落后于臺積電的3nm,但是Intel表示將在2025年量產Intel 18A工藝,而臺積電曾表示2nm工藝延遲到2025年,如此Intel就有望在2025年實現對臺積電的反超。

  三星和Intel在先進工藝制程方面的趕超,無疑讓臺積電深感壓力,正是在如此情況下,臺積電如今忽然宣布組建團隊研發(fā)1.4nm,預計在2026年量產1.4nm,如此也就意味著它也將加速2nm工藝的研發(fā)。

  臺積電在先進工藝研發(fā)進度方面放緩,在于它失去了華為這個重要客戶。華為這個客戶可不簡單,它不僅僅是臺積電的第二大客戶--僅次于蘋果,它還幫助臺積電研發(fā)先進工藝,從16nm到5nm工藝都是華為這個客戶嘗鮮,然后幫助臺積電發(fā)現先進工藝的問題,改良并提升良率后再大規(guī)模為蘋果生產芯片。

  然而從2020年9月15日后,臺積電就不再為華為代工生產芯片,巧合的是臺積電此后的3nm工藝就被從2021年延遲到今年下半年,似乎顯示出失去華為這個客戶不僅損失了收入,還導致它的先進工藝研發(fā)被延緩。

  如今面對三星和Intel在先進工藝研發(fā)方面的趕超,臺積電自然更慌了,因此不得不宣布加速1.4nm的研發(fā),然而業(yè)界都清楚1nm就是當下硅基芯片的極限,在2nm工藝之后都可以歸于1nm水平,臺積電突然宣布加速1.4nm工藝研發(fā),并不代表它就已為研發(fā)1.4nm做好了充分準備,畢竟它當下都還在為2nm工藝而努力呢。

  可以說臺積電雖然當下處于它的巔峰水平,但是失去了華為這個客戶之后,已造成深遠的影響,導致它的3nm工藝量產延遲,更影響了它在先進的2nm及更先進工藝的研發(fā),如果它的這些先進工藝研發(fā)不能如期進行,那么它的輝煌或許也就止步于此了吧?

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