全球首個(gè)二維半金屬材料問世 可用于存儲(chǔ)芯片的磁狀態(tài)切換

時(shí)間:2025-07-21

來源:電子技術(shù)應(yīng)用

導(dǎo)語:7 月 21 日消息,德國(guó)于利希研究中心(Forschungszentrum Jülich)的研究人員宣布成功創(chuàng)制出全球首個(gè)經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的二維半金屬材料。這是一種僅允許單一自旋方向(“自旋向上”或“自旋向下”)電子導(dǎo)電的材料。

  7 月 21 日消息,德國(guó)于利希研究中心(Forschungszentrum Jülich)的研究人員宣布成功創(chuàng)制出全球首個(gè)經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的二維半金屬材料。這是一種僅允許單一自旋方向(“自旋向上”或“自旋向下”)電子導(dǎo)電的材料。

  相關(guān)成果以“編輯推薦”形式發(fā)表于《物理評(píng)論快報(bào)》(DOI:10.1103/mx46-85zf),標(biāo)志著新一代高能效自旋電子學(xué)材料研究取得重要突破。

  與傳統(tǒng)導(dǎo)體不同,半金屬(Half metals)僅允許一種自旋方向的電子通過,因此成為自旋電子學(xué)(利用電子電荷與自旋雙重屬性實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的新一代信息技術(shù))的理想候選材料。

  此前所有已知半金屬僅在超低溫下工作,且在材料表面失去特殊性能,極大限制其應(yīng)用。該團(tuán)隊(duì)通過創(chuàng)新設(shè)計(jì),在鈀晶體上制備出僅兩個(gè)原子厚度的鐵鈀合金超薄膜,利用自旋分辨動(dòng)量顯微鏡技術(shù)證實(shí)該合金僅傳導(dǎo)單一自旋方向的電子,首次實(shí)現(xiàn)二維半金屬性。

  該材料可作為自旋過濾器、自旋軌道扭矩系統(tǒng)等自旋電子器件的基礎(chǔ)組件,用于存儲(chǔ)芯片的磁狀態(tài)切換。

  其室溫有效性及與薄膜技術(shù)的兼容性,為實(shí)際應(yīng)用鋪平道路。此外,其罕見的“自旋極化方向與磁化方向相反”特性,有望為納米磁器件開發(fā)新功能。


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