BW-ITSM浪涌電流測試儀

 BW-ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）

是SIC相關半導體器件測試的重要檢測設備

測試原理：

• 模擬浪涌電流產(chǎn)生：通常利用專門的電路或裝置來模擬電力系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的浪涌電流情況。如基于LC振蕩電路原理，通過電容的快速放電和電感的儲能、釋能過程，產(chǎn)生具有特定波形和幅值的浪涌電流。一些系統(tǒng)還會采用晶閘管等功率器件來控制放電過程，精確調整浪涌電流的參數(shù)。

• 響應檢測與分析：被測設備在承受浪涌電流時會產(chǎn)生相應的電氣響應，如電壓波動、電流變化、設備工作狀態(tài)改變等。測試系統(tǒng)通過電壓傳感器、數(shù)據(jù)采集設備等記錄這些響應，然后利用數(shù)據(jù)分析軟件對采集到的數(shù)據(jù)進行處理和分析，判斷被測設備對浪涌電流的耐受能力、響應特性等。

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• 測試意義：

  1）該系統(tǒng)的測試控制完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。

  2）該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。

  3）該套測試設備主要由以下幾個單元組成：

  a、浪涌測試單元

  b、阻斷測試單元

  C、自動加熱控溫系統(tǒng)

  d、計算機控制系統(tǒng)，參數(shù)設定，測試數(shù)據(jù)記錄，波形保存均有計算機完成，一鍵測試，

  4）參考的相關標準：JBT-7624-2013《整流二極管測試方法》GB/T 4023-2015/IEC 60747-2:200
  一、技術條件

  1、浪涌測試單元IFSM

  正弦半波浪涌電流范圍：短路電流50～3000A，分辨率1A,精度＜2%±1，

  低檔范圍：50～200A，計算機設定 高檔范圍：100～3000A 計算機設定

  b.浪涌電流底寬：0.1ms、1ms、8.3ms、 10ms正弦半波，偏差小于±3%，單選。

  c.浪涌電流重復測試間隔（可設定）：2S～300S。

  e.浪涌電流下的壓降測試：壓降測試范圍0.01-50V，分辨率0.001V,精度＜2%±0.01

  f.正向浪涌波形和導通壓降波形可自動顯示并保存在電腦中。同時可保存波形的數(shù)據(jù)。

  g、方波浪涌：電流寬度100-5000us,可任意調整參數(shù)寬度

  h、方波電流范圍：寬度：方波100-1000us:對應電流最大50-1000A

  方波5-10mS：對應電流最大50-500A

  方波0.1-1mS：對應電流最大50-1000A

  浪涌電流輸出方式：單次、重復（電流不變，重復測試）、遞增（測試電流按設定步進自動增加，到目標或失效停止）

  加熱自動控溫系統(tǒng)，含兩套，模塊為底板加熱控溫，分立器件為手動小型加熱控溫。控溫范圍：25-180℃，控溫誤差小于2%，設定溫度手動設定。
  2、阻斷測試(用于判斷浪涌電流后器件是否失效)

  a.正反向電壓測試范圍：50V～500V可調 ，分辨率1V,精度＜2%±1。

  設定漏電流上限保護，再測試電壓；如測試漏電流大于設定值停止加高壓。判斷為導通失效。

  b.反向電壓輸出方式：DC直流，正反向輸c.漏電流：0.001～10mA，分辨率0.001mA,精度滿量程的±5%

  e.測試過程：計算機設定，過程一鍵自動測試；自動完成判斷是否浪涌失效，并自動保存測試數(shù)據(jù)

  g,適合封裝：各類二極管，MOS、IGBT等，封裝為TO直插或模塊等，兩種接口：1000A以下的直插接口，及模塊接口（機柜側面），所有接口均手動接入器件。

  3、MOS器件正向導通、反向（體二極管）測試

  正向導通測試：柵極電壓：5-25V可設定， 判斷阻斷電壓給正向電壓反向導通測試：柵極電壓：-10-0V可設定，判斷阻斷電壓給反向電壓。

  參數(shù)設定主要是設定圖11所示的幾個關鍵參數(shù)，包括反向保護電壓、保護電流（設定漏電流上限）、脈沖間隔時間（重復測試時間）、脈沖次數(shù)（重復次數(shù)）等。設定時需注意，有關參數(shù)不能超過系統(tǒng)設定范圍，比如脈沖次數(shù)為1-20次，如輸入30，則系統(tǒng)默認為20。

  電流寬度：選10uS或10mS

  電流方式：方波或正弦波

  電流換擋：低檔（50-200A）,高擋（100-3000A），方波50-1000A

  浪涌電流模式：單次、重復或遞增

  遞增測試：設定高檔電流，再設起始電流，遞進電流時增加量遞增電流

  如：高檔電流設定100A,起始電流70A，遞增5A,點擊運行，測試最終停止與100A

  脈沖次數(shù)即重復次數(shù)

  其他二極管浪涌測試：

  可用于各類二管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗，包括三管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二管的浪涌測試。二管元件在實際使用中，除了能長期通過額定通態(tài)平均電流外，還應能承受一定倍數(shù)的浪涌過載電流而不致?lián)p壞，以便適應在各種應用中的要求。二管浪涌過載電流如果超過其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化）

  技術指標：

  浪涌電流（IFSM/ITSM）調節(jié)范圍：0.30～3.60kA

  分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA

  電流波形：正弦半波，底寬10ms

  測試頻率：單次

  反向電壓（VRRM）調節(jié)范圍：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％

  反向電壓測試頻率：50Hz；

  反漏電流（IRRM）測試范圍；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA

  工作方式：

  由觸摸液晶屏設定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護值

  上述設備配置輸出及測試線,但不含測試用“夾具”。該“夾具”用于滿足元件按照標準進行測試時所要求的溫度和壓力測試條件。