——和SanDisk公司共同開發(fā)的業(yè)內(nèi)最大容量芯片 東芝公司近日宣布，即將推出和美國SanDisk公司共同開發(fā)的采用最先進56nm＊1工藝的16Gb（2gigabyte）、8Gb（1gigabyte）的NAND閃存。16Gb是單芯片的業(yè)內(nèi)最大容量＊2。 東芝從本月開始量產(chǎn)目前市場上主流的８GbNAND閃存，同時也計劃從今年第二季度的早期開始量產(chǎn)16GbNAND閃存。繼去年底開始出廠開發(fā)樣品后，現(xiàn)已開始將陸續(xù)出廠產(chǎn)品樣品。 本次新產(chǎn)品采用多值單元（MLC）技術(shù)和改進的編程效率，實現(xiàn)了高容量和高寫入性能。采用56nm工藝，實現(xiàn)了上一代產(chǎn)品（8Gb 70nm工藝）2倍的NAND閃存業(yè)內(nèi)單芯片最大容量＊2的16Gb產(chǎn)品。而且一次處理的數(shù)據(jù)（頁面）達到數(shù)倍增長，寫入速度也達到了以往MLC產(chǎn)品2倍＊3的10MB/秒，同時實現(xiàn)了大容量化和高速化。 東芝公司今后將繼續(xù)微細加工、多值化的新技術(shù)開發(fā)，同時也將不斷增強設(shè)備、改善生產(chǎn)效率，確保滿足NAND閃存市場需求的供應(yīng)能力和成本競爭力。 ＊1　nm：納米。10-9m　 ＊2　每一個硅芯片的容量 ＊3　和采用多值技術(shù)的本公司以往產(chǎn)品的最高速度進行比較 [align=center] [/align]