日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。此次發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內最低導通電阻的20V MOSFET。 　　已經(jīng)發(fā)布的Siliconix SiB414DK是首款8V單N溝道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封裝，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入進一步壯大了該產品系列。SiB408DK在10V時的導通電阻只有40mΩ，SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34mΩ，比最接近的競爭器件低21%。 　　PowerPAK SC-75封裝的尺寸為1.6mm×16.mm×0.8mm，比2mmx2mm的器件小72%，比廣泛使用的TSOP-6器件小72%，同時具有近似的導通電阻。而對設計者來說，更小尺寸的PowerPAK SC-75能夠在便攜式電子產品中節(jié)省空間、降低功耗，從而在滿足消費者對電池運行時間要求的前提下，提供更多的功能。 　　N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型應用包括負載、功放和便攜式電子產品中的電池開關。與常用的3mm×3mm封裝相比，該器件可節(jié)約在1/8磚或1/16磚電源模塊中的所占空間。SiB408DK還可用做筆記本電腦和上網(wǎng)本中的負載開關。 　　這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通過了Rg和UIS測試。 　　新款N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。