可檢測(cè)涂氮晶片
      · 激光定位傳感器具有危險(xiǎn)，由于當(dāng)從內(nèi)部負(fù)載孔定位時(shí)，激光光軸未達(dá)到FOUP直接射向操作員。使用LED光源的M-DW1比原先的激光光軸定位傳感器更安全。
      · 涂氮晶片根據(jù)涂層厚度以一定波長(zhǎng)吸收光線。如果傳感器使用具有單個(gè)波長(zhǎng)的傳感器，光軸可能被完全吸收，導(dǎo)致晶片檢測(cè)錯(cuò)誤。M-DW1使用的LED光源的波長(zhǎng)帶比較寬，所以可始終成功地檢測(cè)涂氮晶片。
      · 根據(jù)反射光線的數(shù)量進(jìn)行的晶片檢測(cè)可能有時(shí)會(huì)由于晶片邊緣的形狀而發(fā)生錯(cuò)誤。M-DW1在受光部分使用2個(gè)分隔的受光二極體，通過(guò)反射光線的位置而不是數(shù)量檢測(cè)晶片。因此，傳感器受晶片厚度或反射光線數(shù)量的影響較小。

      晶片定位檢測(cè)
      ·中心測(cè)量距離：45mm
      ·電源電壓：12～24V DC±10%
      ·檢測(cè)物體：3英寸以上半導(dǎo)體晶片
      ·輸出： NPN開(kāi)路集電極晶體管(最大100mA)或PNP開(kāi)路集電極晶體管(最大100mA)通過(guò)切換開(kāi)關(guān)選擇