上海，2011年7月19日 — 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A，MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號，并從即日起開始為客戶提供樣片。

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機(jī)存儲器) 將SRAM 的快寫與閃存的非易失性的優(yōu)勢集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個型號：MB85RS256A，MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit，128Kbit和64Kbit三個密度級。3個芯片的工作電壓范圍在3.0 ～ 3.6V，讀寫周期為10billion次，數(shù)據(jù)保存在55°C的條件下可達(dá)10年。其工作頻率已經(jīng)大幅提高到最大25MHz。因為FRAM產(chǎn)品在寫處理時無需電壓增壓器，很適合低功率應(yīng)用。該產(chǎn)品提供具有標(biāo)準(zhǔn)存儲器引腳配置的8引腳封裝，完全兼容E2PROM芯片。

憑借公司內(nèi)部的開發(fā)和制造，富士通半導(dǎo)體可更加優(yōu)化設(shè)計和工廠間的密切合作。這為向市場穩(wěn)定地提供實質(zhì)性的高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。

除 SPI FRAM家族之外，富士通還提供帶I²C和并行口的FRAM獨立芯片。密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外，富士通還計劃進(jìn)一步擴(kuò)展FRAM組合以滿足市場需求。

FRAM獨立存儲芯片可廣泛用于計量、工廠自動化應(yīng)用以及各產(chǎn)業(yè)部門等需要數(shù)據(jù)采集、高速寫入和耐久性的行業(yè)。對客戶來說，F(xiàn)RAM不但可取代所有使用電池支持的解決方案，還是一款非常環(huán)保的產(chǎn)品。