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富士通半導體推出基于0.18 µm 技術的全新 SPI FRAM
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富士通半導體推出基于0.18 µm 技術的全新 SPI FRAM

產品型號

廠商性質 生產商

公司名稱富士通微電子(上海)有限公司

地       址上海市延安東路222號外灘中心3102室

聯系人:富士通 (86 21) 6335 1560

聯系我時,請說明是在傳動網上看到的,謝謝!

企業(yè)信息

普通會員20

公司類型: 生產商

主運營:專用集成電路、微控制器、模擬產品、晶圓代工服務...

所在地區(qū):上海市

注冊時間:2006-09-01

產品介紹

上海,2011年7月19日 — 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術的全新 SPI FRAM產品家族,包括MB85RS256A,MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號,并從即日起開始為客戶提供樣片。

富士通半導體推出基于0.18 µm 技術的全新 SPI FRAM

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機存儲器) 將SRAM 的快寫與閃存的非易失性的優(yōu)勢集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個型號:MB85RS256A,MB85RS128A和MB85RS64A,分別代表256Kbit,128Kbit和64Kbit三個密度級。3個芯片的工作電壓范圍在3.0 ~ 3.6V,讀寫周期為10billion次,數據保存在55°C的條件下可達10年。其工作頻率已經大幅提高到最大25MHz。因為FRAM產品在寫處理時無需電壓增壓器,很適合低功率應用。該產品提供具有標準存儲器引腳配置的8引腳封裝,完全兼容E2PROM芯片。

SPI FRAM產品陣容

產品型號存儲器容量電源電壓工作溫度寫/擦次數數據保持封裝
MB85RS256A 256K bit 3.0—3.6v -40—85 100億次 10年 SOP-8
MB85RS128A 128K bit 3.0—3.6v -40—85 100億次 10年 SOP-8
MB85RS64A 64K bit 3.0—3.6v -40—85 100億次 10年 SOP-8

憑借公司內部的開發(fā)和制造,富士通半導體可更加優(yōu)化設計和工廠間的密切合作。這為向市場穩(wěn)定地提供實質性的高質量產品打下了基礎。

除 SPI FRAM家族之外,富士通還提供帶I²C和并行口的FRAM獨立芯片。密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外,富士通還計劃進一步擴展FRAM組合以滿足市場需求。

FRAM獨立存儲芯片可廣泛用于計量、工廠自動化應用以及各產業(yè)部門等需要數據采集、高速寫入和耐久性的行業(yè)。對客戶來說,FRAM不但可取代所有使用電池支持的解決方案,還是一款非常環(huán)保的產品。

以上信息由企業(yè)自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責,中國傳動網對此不承擔任何保證責任。 溫馨提示:為規(guī)避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。

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