英特爾將于2009年采用32納米技術節(jié)點推出三閘晶體管（trigate transistors）。采用這種新型的3D晶體管結構，英特爾希望實現(xiàn)顯著的功率節(jié)省及性能改進目標。 據(jù)英特爾組件研究總監(jiān)Mike Mayber指出，該公司在新晶體管內成功整合了高K介電質、金屬閘電極和應變硅。 該晶體管消耗的功率明顯低于目前的平面型晶體管。據(jù)Mayberry表示，三閘晶體管實現(xiàn)更好的切斷電流（off-current），因此IC將耗費更少的泄漏功率。高K值金屬閘也減少功率耗損，同時實現(xiàn)更快速度。 Mayberry指出，與最新的65納米晶體管相較，新型晶體管速度將提升45%，切斷電流減少50%。采用新電晶體的處理器以常速消耗35%的總體功率。 英特爾計劃采用這種晶體管結構作為45納米節(jié)點以上未來微處理器的基本建構模塊，這意味著即將到來的65納米和45納米節(jié)點將以常規(guī)方式實現(xiàn)。英特爾預計2009年量產(chǎn)32納米組件，2011年生產(chǎn)22納米組件。