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電力系統(tǒng)技術(shù)發(fā)展對(duì)二次自動(dòng)化設(shè)備的電磁兼容性能影響
時(shí)間:2006-08-26 09:48:00來源:songjuan
各種干擾二次設(shè)備耦合途徑 通過各種連接線的傳導(dǎo)作用或通過空間的輻射作用
影響二次設(shè)備的主要干擾源有:
a)一些自然的干擾如:雷擊、靜電等。
b) 操作或系統(tǒng)故障時(shí)的瞬態(tài)干擾如:隔離開關(guān)和斷路器操作、低壓回路繼電器動(dòng)作、接地故障時(shí)短路電流引起的共模干擾等。
C)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)態(tài)干擾:如高壓設(shè)施附近的工頻電場和磁場、附近電子或通信設(shè)備的干擾等。
其中對(duì)二次設(shè)備最具影響作用的干擾是一次開關(guān)(隔離開關(guān)和斷路器)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)干擾,這種瞬態(tài)干擾一方面以場的形式向外輻射,通過對(duì)二次設(shè)備的外接導(dǎo)體(各種回路連線、地線)的耦合或者直接通過空間的輻射耦合進(jìn)入到二次設(shè)備內(nèi)部,另一方面直接通過二次設(shè)備連接到高壓設(shè)施的導(dǎo)體(PT、CT、高頻載波通道等)傳導(dǎo)進(jìn)入二次設(shè)備內(nèi)部,影響二次設(shè)備的正常工作。
解決電力系統(tǒng)電磁兼容問題的途徑在于a)對(duì)系統(tǒng)的電磁環(huán)境進(jìn)行測量評(píng)價(jià);b)在系統(tǒng)設(shè)計(jì)建設(shè)中采取必要的合理的措施,減緩干擾對(duì)二次設(shè)備的作用;c)提高二次設(shè)備本身的抗干擾能力。
事實(shí)上,國內(nèi)外研究人員通過多年的努力已經(jīng)積累了大量的數(shù)據(jù),并依據(jù)其制定了相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)和導(dǎo)則用于指導(dǎo)電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和二次設(shè)備的設(shè)計(jì),但是隨著電力技術(shù)近幾年的發(fā)展,一些新技術(shù)得到廣泛的應(yīng)用,由此而帶來的電力系統(tǒng)電磁環(huán)境的變化以及對(duì)二次設(shè)備的影響問題,值得大家進(jìn)一步的關(guān)注和研究。
3 GIS變電站
與傳統(tǒng)的AIS變電站相比較,GIS由于與周圍環(huán)境隔絕、占地面積縮小以及運(yùn)行安全和維護(hù)方便等優(yōu)點(diǎn),正日益廣泛地應(yīng)用在變電站建設(shè)中。GIS在使得變電站體積縮小的同時(shí)所帶來的系統(tǒng)電磁環(huán)境的改變正成為人們致力于研究的一個(gè)課題。
與傳統(tǒng)的AIS相比較,GIS電氣部件的尺寸要小得多,而且被封閉在屏蔽的金屬殼里,因此在其開關(guān)操作時(shí)產(chǎn)生的干擾與傳統(tǒng)的AIS具有不同的特征。
由于被封閉在金屬殼里,GIS所產(chǎn)生的干擾主要是通過流動(dòng)在母線上的干擾來回反射,以場或者電壓(電流)的形式向外傳遞或者通過GIS外殼以及當(dāng)其一些連接處(如在套管或接地處等)存在屏蔽不連續(xù)點(diǎn)時(shí)形成較強(qiáng)的輻射源,以場的形式向外輻射,
3.1 瞬態(tài)場
一次開關(guān)動(dòng)作所產(chǎn)生的瞬態(tài)磁場水平取決于母線中的瞬態(tài)電流值,而瞬態(tài)電流值則在很大程度上取決于系統(tǒng)電壓與瞬態(tài)阻抗之比,因此,可以這么說,系統(tǒng)電壓越高,瞬態(tài)磁場水平越大。在AIS 變電站中,一般在母線下方和非常靠近母線處直接測量的磁場水平在30-100A/m(峰值)。而在GIS變電站中則相對(duì)要低一點(diǎn),一般為10-50A/m(峰值)。磁場水平隨著與母線的距離增大迅速減小,在離母線大約10米距離上磁場強(qiáng)度至少要衰減3倍。
母線下的瞬態(tài)電場幅值與磁場相似,在AIS變電站中,所測值一般3至10KV/m(峰值),GIS變電站中所測到的值比AIS變電站要低一點(diǎn),同樣,電場值與系統(tǒng)的電壓等級(jí)相關(guān),電壓等級(jí)越高,電場值越大。但是,在GIS變電站非??拷坠芴庪妶鲋祬s非常之大,可以達(dá)到30KV/m。與AIS不同的是,GIS一次開關(guān)動(dòng)作時(shí)所測到的暫態(tài)電場短時(shí)間后即趨向于零,而不是維持在一個(gè)常數(shù)上,這可能是由于其金屬外殼接地所致。
從頻率特征上來看,由于GIS的特性阻抗比AIS要小得多,這就使得GIS與母線或架空線在連接處阻抗不匹配加劇,導(dǎo)致了干擾電流(電壓)波的反射增加,因此,GIS較之AIS產(chǎn)生的干擾波振蕩頻率更高。一般在AIS變電站中所測到的場的主導(dǎo)頻率在3MHz以下,而在GIS變電站中測到的則要高得多,通常是AIS的10倍以上,大多數(shù)情況是在50MHz以下,但其上限頻率卻可達(dá)到100MHz以上。
由于通常GIS高壓設(shè)備和電子設(shè)備之間的距離較近,因此在GIS變電站中暫態(tài)電磁場輻射對(duì)設(shè)備的影響應(yīng)引起足夠的重視。
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