摘要：真空斷路器處于合閘位置時(shí)，其對(duì)地絕緣由支持絕緣子承受，一旦真空斷路器所連接的線(xiàn)路發(fā)生永久接地故障，斷路器動(dòng)作跳閘后，接地故障點(diǎn)又未被清除，則有電母線(xiàn)的對(duì)地絕緣亦要由該斷路器斷口的真空間隙承受；各種故障開(kāi)斷時(shí)，斷口一對(duì)觸子間的真空絕緣間隙要耐受各種恢復(fù)電壓的作用而不發(fā)生擊穿。因此，真空間隙的絕緣特性成為提高滅弧室斷口電壓，使單斷口真空斷路器向高電壓等級(jí)發(fā)展的主要研究課題。 關(guān)鍵詞：真空斷路器 絕緣特性 斷口電壓 真空斷路器處于合閘位置時(shí)，其對(duì)地絕緣由支持絕緣子承受，一旦真空斷路器所連接的線(xiàn)路發(fā)生永久接地故障，斷路器動(dòng)作跳閘后，接地故障點(diǎn)又未被清除，則有電母線(xiàn)的對(duì)地絕緣亦要由該斷路器斷口的真空間隙承受；各種故障開(kāi)斷時(shí)，斷口一對(duì)觸子間的真空絕緣間隙要耐受各種恢復(fù)電壓的作用而不發(fā)生擊穿。因此，真空間隙的絕緣特性成為提高滅弧室斷口電壓，使單斷口真空斷路器向高電壓等級(jí)發(fā)展的主要研究課題。 真空度的表示方式 絕對(duì)壓力低于一個(gè)大氣壓的氣體稀薄的空間，稱(chēng)為真空空間，真空度越高即空間內(nèi)氣體壓強(qiáng)越低。真空度的單位有三種表示方式:托（即1個(gè)mm水銀柱高），毫巴（103bar）或帕（帕斯卡:Pa）。（1托=131。6Pa，1毫巴=100Pa）我們通常所說(shuō)真空滅弧室內(nèi)部的真空度要達(dá)10-4托是指滅弧室內(nèi)的氣體壓強(qiáng)僅為"萬(wàn)分之一mm水銀柱高"，亦即是1。31x10-2Pa。 “派森定理”亦有譯為“巴申定律”，是指間隙電壓耐受強(qiáng)度與氣體壓力之間的關(guān)系。圖1表示派森定理的關(guān)系曲線(xiàn)呈"V"字形，即充氣壓力的增加或降低，都能提高極間間隙絕緣強(qiáng)度。其擊穿機(jī)理至今還不清楚，因?yàn)檎婵諟缁∈覂?nèi)部真空度高于10-4托，這樣稀薄空氣的空間，氣體分子的自由行程為103mm，在真空滅弧室這么大小的容積內(nèi)，發(fā)生碰撞的機(jī)率幾乎是零。因此不會(huì)發(fā)生碰撞游離而使真空間隙擊穿。派森定理的"V"形曲線(xiàn)是實(shí)驗(yàn)得出的，條件是在均勻電場(chǎng)的情況下，其間隙擊穿電壓Uj可表示為: Uj=KLa L——————間隙距離； a——————間隙系數(shù)（間隙<5mm時(shí)a=1，>5mm時(shí)，a=0。5） 由派森定理的"V"形關(guān)系曲線(xiàn)中看出，當(dāng)真空度達(dá)103托時(shí)出現(xiàn)拐點(diǎn)，拐點(diǎn)附近曲線(xiàn)變得平坦，擊穿電壓幾乎無(wú)變化。 當(dāng)真空度和間隙距離相同時(shí)，其擊穿電壓則隨觸頭電極材料發(fā)生變化，電極材料機(jī)械強(qiáng)度高，熔點(diǎn)高時(shí)，真空間隙的擊穿電壓亦隨之提高。 真空絕緣的破壞機(jī)理 前面已說(shuō)過(guò)，在真空滅弧室這樣高度真空度的空間內(nèi)，氣體分子的自由行程很大，不會(huì)發(fā)生碰撞分離而使真空間隙在高壓電作用下會(huì)擊穿又是客觀存在，于是就有種解釋真空絕緣會(huì)破壞的機(jī)理，場(chǎng)致發(fā)射引起擊穿，微塊引起擊穿和微放電導(dǎo)致?lián)舸? 場(chǎng)致發(fā)射論對(duì)真空間隙所以能發(fā)生擊穿的解釋 間隙電場(chǎng)能量集中，在電極微觀表面的突出部分發(fā)生電子發(fā)射或蒸發(fā)逸出，撞擊陽(yáng)極使局部發(fā)熱，繼續(xù)放出離子或蒸汽，正離子再撞擊陰極發(fā)生二次發(fā)射，相互不斷積累，最后導(dǎo)致間隙擊穿。 著名的FowlerandNoraheim場(chǎng)發(fā)射電流I表達(dá)式為: I=AE2e-B/E 式中E——————電場(chǎng)強(qiáng)度； A——————常數(shù)，與發(fā)射點(diǎn)的面積有關(guān)； B——————常數(shù)，與電極表面的逸出有關(guān)。 在小的間隙（<1mm）及短脈沖電壓情況下，可以合理地認(rèn)為真空間隙擊穿是由場(chǎng)致發(fā)射引起的，但在長(zhǎng)間隙及連續(xù)加壓與長(zhǎng)脈沖電壓下，有的學(xué)者認(rèn)為真空的擊穿尚存在其它機(jī)理: （1）陰極引起的擊穿；在強(qiáng)電場(chǎng)下，由于場(chǎng)發(fā)射電流的焦耳發(fā)熱效應(yīng)，使陰極表面突出物的溫度升高，當(dāng)溫度達(dá)到臨界點(diǎn)時(shí)，突出物熔化產(chǎn)生蒸汽引起擊穿。 （2）陽(yáng)極引起的擊穿:由于陰極發(fā)射的電子束，轟擊陽(yáng)極使某點(diǎn)發(fā)熱產(chǎn)生熔化和蒸汽而發(fā)生間隙擊穿。產(chǎn)生陽(yáng)極引起擊穿的條件與電場(chǎng)提高系數(shù)和間隙距離有關(guān)。 微塊引起擊穿的解釋 假設(shè)在電極表面附著較輕松的微塊，在電場(chǎng)作用下，微塊脫落而且加速，這微塊撞擊對(duì)面的電極時(shí)，由于沖擊發(fā)熱可使其本身熔化產(chǎn)生蒸汽，引起擊穿。 微放電導(dǎo)致真空間隙擊穿的解釋 電極的陰極表面沾污，將發(fā)生微放電現(xiàn)象。微放電是一種小的自抑制熄滅的電流脈沖，它的總放電電荷3107C，存在時(shí)間由50ms到幾ms，放電一般發(fā)生在大于1mm的間隙中。 這些真空間隙的擊穿機(jī)理表明，真空電極的材料與電極的表面狀況對(duì)真空間隙的絕緣都是非常關(guān)鍵的因素。 真空間隙的絕緣耐受能力與在先的分合閘操作工況有關(guān) 真空斷路器接觸間隙的擊穿電壓，因耐壓實(shí)驗(yàn)前不同工況的分合閘操作有相應(yīng)的不同結(jié)果，意大利哥倫布（Colombo）工程師在設(shè)備討論會(huì)上有文論述過(guò)這方面的問(wèn)題:試驗(yàn)對(duì)象是24KV斷路器，銅鉻觸頭，額定開(kāi)斷電流16KA，額定電流630A，觸頭開(kāi)距15。8mm，觸頭分閘速度1。1m/s，合閘速度為0。6m/s。試驗(yàn)程序列于表1。 在關(guān)合——-分閘操作（試驗(yàn)系列2～5）后產(chǎn)生的最大擊穿電壓比空載循環(huán)（試驗(yàn)系列1）后給出的數(shù)值低，這意味著觸頭擊穿距離受電弧電流的影響而減??；同時(shí)，系列2和系列5所測(cè)得的數(shù)值亦小于系列3和系列4的試驗(yàn)值，而電流過(guò)零波形和極性似乎無(wú)明顯影響。試驗(yàn)結(jié)果證實(shí)了開(kāi)閉操作的形式對(duì)斷路器觸頭之間的絕緣耐受能力有影響，擊穿電壓在30～50kV范圍內(nèi)，擊穿距離為0。6～2mm之間，擊穿時(shí)觸頭的電場(chǎng)強(qiáng)度為25～44kV。 意大利哥倫布工程師上述實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明，真空開(kāi)關(guān)在開(kāi)斷大電流后，其真空減小絕緣強(qiáng)度會(huì)下降是一種普遍現(xiàn)象。因此，我國(guó)早期的真空斷路器在開(kāi)斷故障后，間隙絕緣會(huì)下降，達(dá)不到產(chǎn)品技術(shù)條件的絕緣水平，故能源部對(duì)戶(hù)內(nèi)高壓真空斷路器訂貨要求（部標(biāo)DL403——91）允許在真空斷路器電壽命試驗(yàn)后，極間耐壓值降為原標(biāo)準(zhǔn)的80%作試驗(yàn)，如果通過(guò)，就認(rèn)為該斷路器的型式試驗(yàn)合格。 那么，如何解釋目前許多真空斷路器制造廠在作產(chǎn)品介紹時(shí)，反復(fù)強(qiáng)調(diào)它們的真空斷路器電壽命試驗(yàn)后，間隙的絕緣強(qiáng)調(diào)不降低呢?我們以10kV真空斷路器為例來(lái)對(duì)此作說(shuō)明:真空滅弧室經(jīng)過(guò)技術(shù)和工藝改進(jìn)，極間絕緣水平同早期產(chǎn)品比較，提高很多例如可達(dá)到A值，遠(yuǎn)比產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的耐壓值C（工頻42kV，沖擊75kV）高得多，出廠新品按C值試驗(yàn)當(dāng)然不會(huì)擊穿，電壽命試驗(yàn)后，間隙絕緣水平由A值降為B值，但B值>C值，故按C值去校核其絕緣，試驗(yàn)時(shí)亦不會(huì)發(fā)生擊穿。而老產(chǎn)品的A’值是大于C值，出廠新品按C值考核，當(dāng)然能通過(guò)，開(kāi)斷故障后，由A’值降到B’值。熱B’