1. 懸掛法/爬升速率測(cè)試(直接測(cè)量)

　　原理：通過(guò)電解液在垂直懸掛的極片中的毛細(xì)爬升高度(ΔH)隨時(shí)間(t)的變化，計(jì)算浸潤(rùn)速率K(公式：ΔH = K√t)。K值越大，浸潤(rùn)性越好。

　　關(guān)鍵參數(shù)：

　　壓實(shí)密度：壓實(shí)密度↑ → 孔隙率↓ → K值↓。

　　溫度：溫度↑ → 電解液粘度↓ → K值↑。

　　電解液配方：低粘度溶劑(如DMC)或添加潤(rùn)濕劑(如氟苯)可提升K值。

　　適用場(chǎng)景：極片級(jí)快速篩選(如不同壓實(shí)密度、集流體類(lèi)型的影響)。

　　2. 電芯吸液法(整體評(píng)估)

　　原理：直接測(cè)量電芯吸收電解液的質(zhì)量增量(Δm)，擬合Δm/ρA = K√t(A為極片截面積)。吸液量飽和時(shí)間越短，浸潤(rùn)性越好。

　　優(yōu)勢(shì)：操作簡(jiǎn)便、成本低，直接反映電芯級(jí)浸潤(rùn)效果。

　　應(yīng)用案例：

　　隔膜類(lèi)型：陶瓷隔膜(AlO@PE)吸液速率比PE隔膜快59%，因表面能更高。

　　注液工藝：真空注液比常壓注液浸潤(rùn)時(shí)間短。

　　3. 超聲/CT成像(可視化分析)

　　原理：

　　超聲成像：未浸潤(rùn)區(qū)域阻抗高，顯示為藍(lán)色;飽和區(qū)域?yàn)榧t色。

　　CT/中子成像：追蹤電解液分布。

　　優(yōu)勢(shì)：直觀顯示浸潤(rùn)均勻性，定位干區(qū)(如極片中心易出現(xiàn)浸潤(rùn)死角)。

　　4. 電化學(xué)阻抗譜(EIS)與曲折度分析

　　原理：

　　EIS：高頻區(qū)阻抗(R)反映離子傳輸阻力，R↓ 表明浸潤(rùn)充分。

　　曲折度(τ) ：τ = R·κ·A/d(κ為電解液電導(dǎo)率)，τ值↓ 表明離子路徑更通暢。

　　應(yīng)用：量化評(píng)估浸潤(rùn)程度。

　　5. 浸潤(rùn)效果差的電性能表現(xiàn)

　　容量衰減：未浸潤(rùn)區(qū)域活性物質(zhì)無(wú)法參與反應(yīng)。

　　內(nèi)阻升高：界面接觸不良導(dǎo)致電荷轉(zhuǎn)移阻抗(R)↑。

　　析鋰風(fēng)險(xiǎn)：局部電流密度過(guò)大引發(fā)鋰枝晶(常見(jiàn)于厚電極中心區(qū)域)。

　　6. 結(jié)論

　　優(yōu)先選擇電芯吸液法或EIS曲折度法進(jìn)行定量評(píng)估，結(jié)合超聲成像定位缺陷。若需快速篩選材料(如隔膜、電解液)，可用懸掛法。評(píng)估時(shí)需同步監(jiān)測(cè)電性能(容量、內(nèi)阻)以驗(yàn)證實(shí)際影響。