摘要:本文重點(diǎn)介紹光敏Z-元件、磁敏Z-元件的特性、典型應(yīng)用電路、設(shè)計(jì)方法和應(yīng)用示例,供廣大用戶(hù)利用光、磁敏Z-元件進(jìn)行應(yīng)用開(kāi)發(fā)時(shí)參考。
關(guān)健詞:Z-元件、光敏Z-元件、磁敏Z-元件、傳感器
一、 前言
光敏Z-元件是Z-半導(dǎo)體敏感元件產(chǎn)品系列中重要品種之一。它具有與溫敏Z-元件相似的伏安特性,該元件也具有應(yīng)用電路極其簡(jiǎn)單、體積小、輸出幅值大、靈敏度高、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn)。能提供模擬、開(kāi)關(guān)和脈沖頻率三種輸出信號(hào)供用戶(hù)選擇。用它開(kāi)發(fā)出的三端數(shù)字傳感器,不需要前置放大器、A/D或V/F變換器,就能與計(jì)算機(jī)直接通訊。該元件的技術(shù)參數(shù)符合QJ/HN002-1998的有關(guān)規(guī)定。
磁敏Z-元件是Z-半導(dǎo)體敏感元件產(chǎn)品系列中第三個(gè)重要品種。它具有與溫敏Z-元件相似的伏安特性,該元件體積小,應(yīng)用電路極其簡(jiǎn)單,在磁場(chǎng)的作用下,能輸出模擬信號(hào)、開(kāi)關(guān)信號(hào)和脈沖頻率信號(hào),而且輸出信號(hào)的幅值大、靈敏度高、抗干擾能力強(qiáng)。
光敏、磁敏Z-元件及其三端數(shù)字傳感器,通過(guò)光、磁的作用,可實(shí)現(xiàn)對(duì)物理參數(shù)的測(cè)量、控制與報(bào)警。
二、 光敏Z-元件及其技術(shù)參數(shù)
1. 光敏Z-元件的結(jié)構(gòu)、電路符號(hào)及命名方法
光敏Z-元件是一種經(jīng)過(guò)重?fù)诫s而形成的特種PN結(jié),是一種正、反向伏安特性不對(duì)稱(chēng)的兩端有源元件。
元件引腳有標(biāo)記的或尺寸較長(zhǎng)的為“+”極。
2. 光敏Z-元件的伏安特性曲線(xiàn)
(d)為光敏Z-元件的的伏安特性曲線(xiàn)。在第一象限,OP段M1區(qū)為高阻區(qū)(幾十千歐~幾百千歐)。pf段M2區(qū)為負(fù)阻區(qū),fm段M3區(qū)為低阻區(qū)(幾十千歐~幾百千歐)。其中Vth叫閾值電壓,表示在T(℃)時(shí)Z-元件兩端電壓的最大值。Ith叫閾值電流,是Z-元件與Vth對(duì)應(yīng)的電流。Vf叫導(dǎo)通電壓,是M3區(qū)電壓的最小值。If叫導(dǎo)通電流,是對(duì)應(yīng)Vf的電流,也是M3區(qū)電流的最小值。在第三象限為反向特性,反向電流IR是在無(wú)光照時(shí)反向電壓VR為25V時(shí)測(cè)量的,其值(微安級(jí))很小。
3. 光敏Z-元件的分檔代號(hào)與技術(shù)參數(shù)
光敏Z-元件的分檔代號(hào)與技術(shù)參數(shù)見(jiàn)表1。其分檔代號(hào)按Vth值的大小排列。型號(hào)分二種,按其響應(yīng)波長(zhǎng)分。目前產(chǎn)品波長(zhǎng)代號(hào)皆為1。
三、 光敏Z-元件的光敏特性
1. 無(wú)光照時(shí)光敏Z-元件正、反向伏安特性的測(cè)量
用遮光罩把光敏Z-元件罩上,即在無(wú)光照的情況下,測(cè)量電路測(cè)量其正、反向伏安特性,測(cè)量電路與方法與溫敏Z-元件相同。
2. 光敏Z-元件正向光敏特性
把Z-元件接在正向特性測(cè)量電路上,Z-元件放置在可變照度的光場(chǎng)中。測(cè)量時(shí)照度由小到大,每次遞增100lx,用數(shù)字照度計(jì)校準(zhǔn),然后測(cè)量Z-元件的正向特性,記錄不同照度時(shí)的Vth、Ith、Vf 。光敏Z-元件的閾值點(diǎn)P(Vth,Ith)隨著照度的增加,一直向左偏上方向移動(dòng),
光敏Z-元件的正向特性還具有光生伏特現(xiàn)象,Z-元件的“正”極即光生伏特的“+”極。目前,光生伏特飽和電動(dòng)勢(shì)為200mV左右,短路電流隨光照增強(qiáng)而增大。當(dāng)照度為100lx~5000 lx時(shí)短路電流為幾微安至幾十微安。
3. 光敏Z-元件反向光敏特性
把Z-元件連接在反向特性測(cè)量電路中,并把Z-元件置于可變光場(chǎng)中。改變光場(chǎng)照度,用數(shù)字照度計(jì)校準(zhǔn),測(cè)量其反向特性,即反向電壓VR與反向電流IR的關(guān)系??梢钥闯銎浞聪螂娮桦S照度增加而減小,反向電流隨光照增強(qiáng)而變大。
四、 光敏Z-元件的應(yīng)用電路
光敏Z-元件有與溫敏Z-元件相似的正、反向伏安特性,溫敏Z-元件的應(yīng)用電路,在理論上都適用于光敏Z-元件??紤]到光敏Z-元件的Vth、Ith、IR有一定的溫漂,因此在光開(kāi)關(guān)電路中,應(yīng)當(dāng)有抗溫度干擾的余量,在模擬應(yīng)用電路中,應(yīng)采用具有抗溫漂自動(dòng)補(bǔ)償電路。
1. M1→M3轉(zhuǎn)換,輸出負(fù)階躍開(kāi)關(guān)信號(hào)電路
在無(wú)光照時(shí),OP1為光敏Z-元件M1區(qū)特性,閾值點(diǎn)為P1(Vth1,Ith1),E為電源電壓,以負(fù)載電阻值RL和電源電壓E確定的直線(xiàn)(E,E/RL)交電壓軸為E,交電流軸為E/RL。Q1為無(wú)光照時(shí)的工作點(diǎn)其坐標(biāo)為Q1(VZ1,IZ1),輸出電壓VO1=VZ1=E-IZ1RL 。我們選擇合適的電路參數(shù),使在照度為E2時(shí),閾值點(diǎn)P1移至P2,并剛好在直線(xiàn)(E,E/RL)上,這時(shí)Q2與P2重合。光敏Z-元件開(kāi)始進(jìn)入了負(fù)阻M2區(qū),Q2點(diǎn)在幾微秒之內(nèi)即達(dá)到了f點(diǎn),其坐標(biāo)為f(Vf,If)。此時(shí)輸出電壓為VO2=VOL=Vf,輸出端輸出一個(gè)負(fù)階躍開(kāi)關(guān)信號(hào)。為了得到一個(gè)負(fù)階躍開(kāi)關(guān)信號(hào),在照度為L(zhǎng)2時(shí),工作點(diǎn)Q2與閾值點(diǎn)Vth2重合,電路中各參數(shù)必須滿(mǎn)足的條件可用下述狀態(tài)方程描述:
E=Vth2+I(xiàn)th2RL (1)
其中,負(fù)載電阻值RL一般為1~2kW,選擇原則是,當(dāng)在照度L2時(shí),Z-元件工作在M3區(qū),工作點(diǎn)Q2的電壓為VZ2=Vf,電流為IZ2=If,電壓與電流之積為VfIf=P,并且P≤PM≤50mW。即在功耗不大于50mW的情況下,選擇較小的RL,這個(gè)開(kāi)關(guān)信號(hào)的振幅為DVO:
DVO=Vth2-Vf (2)
公式(1)告訴我們?yōu)榱艘玫截?fù)階躍開(kāi)關(guān)信號(hào),E、Vth2、Ith2三者之間的關(guān)系。這時(shí)還要考慮以下幾個(gè)問(wèn)題:
(1)照度L越大,Vth越小,Ith越大,IthRL也越大,DVO將下降,以至?xí)l(fā)生因振幅過(guò)小滿(mǎn)足不了要求的情況;另一方面,過(guò)大的照度也是不經(jīng)濟(jì)的。也就是說(shuō),照度選擇要適當(dāng)。
(2)在應(yīng)用的范圍內(nèi),在無(wú)光照不輸出負(fù)階躍開(kāi)關(guān)信號(hào)的情況下,工作點(diǎn)Q1選擇應(yīng)盡量偏右,這樣有利于減小監(jiān)控或報(bào)警照度。
(3)供電的直流電源應(yīng)是一個(gè)小功率可調(diào)電源。在照度L2監(jiān)控或報(bào)警時(shí),其值應(yīng)與(1)式計(jì)算值相等。
2. 反向應(yīng)用輸出模擬電壓信號(hào)
Z-元件反向電流極小,呈現(xiàn)一個(gè)高電阻(1~6MW),這個(gè)電阻具有負(fù)的光照系數(shù),并在較高電壓(30~40V)下,不發(fā)生擊穿現(xiàn)象。圖5 為反向應(yīng)用電路及工作狀態(tài)解析圖??梢钥闯鲈跓o(wú)光照時(shí),L1=0,工作點(diǎn)為Q1(VZ1,IZ1),輸出電壓為VO1,則:
VO1=E-VZ1=E-IZ1RL (3)
當(dāng)光照為L(zhǎng)2時(shí),伏安特性上移,工作點(diǎn)由Q1移至Q2(VZ2,IZ2),輸出電壓為VO2,則:
VO2=E-VZ2=E-IZ2RL (4)
3.M1→M3,M3→M1相互轉(zhuǎn)換,輸出脈沖頻率信號(hào)
該電路僅需三個(gè)元件,用一個(gè)小電容器與Z-元件并聯(lián),再串聯(lián)一負(fù)載電阻RL,即可構(gòu)成光頻轉(zhuǎn)換器,如圖6所示,達(dá)到了用光敏Z-元件實(shí)現(xiàn)光控脈沖頻率的目的。與溫敏Z-元件脈沖頻率電路相同,在無(wú)光照時(shí),電源通過(guò)RL對(duì)電容器充電,當(dāng)VC
五、 光敏Z-元件特性與應(yīng)用電路總結(jié) 光敏Z-元件的伏安特性與溫敏Z-元件的伏安特性是極為相近的,前者的光特性與后者的溫度特性也非常相似。
Z-元件的特性及應(yīng)用電路可以概括為:一個(gè)特殊的點(diǎn),即閾值點(diǎn)P(Vth,Ith),該點(diǎn)的電壓靈敏度為負(fù),電流靈敏度為正。有二個(gè)穩(wěn)定的工作區(qū),即高阻M1區(qū),和低阻M3區(qū)。在VZ六、 光敏Z-元件應(yīng)用示例
1.有溫度補(bǔ)償?shù)墓忾_(kāi)關(guān)電路
該電路使用兩個(gè)光敏Z-元件,并做反向應(yīng)用,要求兩個(gè)Z-元件的反向電流相等,且反向溫度靈敏度溫漂DTR相近。其中V2避光、V1用于光照。無(wú)光照的伏安特性為V1(0lx,T1℃)和V2(0lx,T1℃)有溫度變化的伏安特性為V1(0lx,T2℃)和V2(0LX,T2℃),V2受光照的伏安特性為V2(Llx,T2℃)。VR為電位器R兩端電壓,VR1 (VR2)為T(mén)1℃(T2℃)時(shí)R兩端電壓,輸出電壓VO取自R的二分之一阻值點(diǎn)。在緩慢變溫的場(chǎng)合,VO始終等于電源電壓的二分之一。只有在V2受光照后,其反向電阻變小,IR增大,但是V1、R1、V2串聯(lián)電路中流過(guò)三個(gè)元件中的電流相等,電位器R中點(diǎn)電位上升,輸出電壓VO2升高。達(dá)到設(shè)定照度后,D1輸出由低電平變成高電平,V3導(dǎo)通,繼電器吸合觸點(diǎn)用于控制其它電路。
七、 磁敏Z-元件及其技術(shù)參數(shù)
1.磁敏Z-元件的結(jié)構(gòu)、電路符號(hào)及命名方法
磁敏Z-元件是一種經(jīng)過(guò)特殊摻雜而制得的改性PN結(jié)?!?”表示正向使用時(shí)接電源“+”端,M表示對(duì)磁場(chǎng)敏感。
2.磁敏Z-元件的伏安特性曲線(xiàn)
磁敏Z-元件的伏安特性,應(yīng)當(dāng)在無(wú)磁場(chǎng)的情況下進(jìn)行測(cè)量,伏安特性測(cè)量電路,正向伏安特性的測(cè)量電路與方法與溫敏Z-元件的相同。
伏安特性中OP段為高阻區(qū),記為M1,pf段為負(fù)阻區(qū),記為M2,fm為低阻區(qū),記為M3區(qū)。特性中的Vth叫做閾值電壓,表示在25℃時(shí)兩端電壓的最大值。Ith叫做閾值電流,是Z-元件電壓為Vth時(shí)的電流。Vf叫做導(dǎo)通電壓,是M3區(qū)電壓的最小值。If叫做導(dǎo)通電流,是對(duì)應(yīng)Vf的電流,是低阻區(qū)電流最小值。反向特性無(wú)磁敏。
3.磁敏Z-元件的分檔代號(hào)與技術(shù)參數(shù)
磁敏Z-元件的技術(shù)參數(shù)列于表3,磁敏Z-元件的分檔代號(hào)有兩個(gè),一個(gè)是Vth,共分四檔;另一個(gè)是閾值磁場(chǎng),共分兩檔。磁敏Z-元件的技術(shù)參數(shù)符合QJ/HN003-1998。
八、 磁敏Z-元件的磁敏特性
磁敏Z-元件的正向伏安特性,可進(jìn)行測(cè)量,與溫敏Z-元件正向伏安特性測(cè)量電路與方法相同。
磁敏Z-元件在磁場(chǎng)中,其伏安特性曲線(xiàn)形狀發(fā)生了變化,因而,技術(shù)參數(shù)也發(fā)生了變化。磁場(chǎng)由弱到強(qiáng)的變化過(guò)程,技術(shù)參數(shù)的變化范圍如表3所示。
1.閾值磁場(chǎng):Bth(mT)
磁敏Z-元件置于磁場(chǎng)中,如圖10所示。電路中產(chǎn)生了自激振蕩,輸出信號(hào)VO的波形類(lèi)似于溫敏Z-元件的下降沿觸發(fā)的脈沖頻率信號(hào)。使Z-元件剛剛起振的磁場(chǎng),定義為閾值磁場(chǎng),用Bth表示。
2.磁場(chǎng)范圍:B(mT)
磁場(chǎng)范圍,表示維持Z-元件正常振蕩的磁場(chǎng),其值為(1~1.5)Bth。
3.頻率范圍:f(Hz)
Z-元件在磁場(chǎng)中正常的信號(hào)頻率范圍。
4.頻率靈敏度:SF(Hz/mT)
5.電壓靈敏度ST(mV/mT)
磁敏Z-元件在磁場(chǎng)中,Vf向右平移增大,磁場(chǎng)越強(qiáng),Vf增加的越多,電壓靈敏度ST等于導(dǎo)通電壓Vf的增量DVf與磁場(chǎng)變化增量DB之比。
磁敏Z-元件在實(shí)驗(yàn)中,除上述參數(shù)用來(lái)表述在磁場(chǎng)中變化外,還有一種在磁場(chǎng)中的特性沒(méi)有相應(yīng)的參數(shù)可以表示。例如,在磁場(chǎng)中,Vf階躍式的增大,同時(shí)Vth也增大,幅度變化為:
Vf:(1~3) Vf,Vth: Vth+(0~1V),
這一特性非常適合制作磁控開(kāi)關(guān)、轉(zhuǎn)速表等。
九、 磁敏Z-元件的應(yīng)用電路
磁敏Z-元件是一個(gè)非線(xiàn)性元件,典型應(yīng)用電路為Z-元件與一個(gè)負(fù)載電阻RL串聯(lián)的電路。RL的一個(gè)作用是限制工作電流,另一個(gè)作用是可以從RL與Z-元件連接點(diǎn)處取出輸出信號(hào)。Z-元件允許并聯(lián)一個(gè)電容器,輸出脈沖頻率信號(hào)。
1. 工作在M3區(qū)輸出階躍信號(hào)
磁敏Z-元件工作在哪一個(gè)區(qū),與電源電壓E的大小有關(guān)。在溫敏Z-元件工作中,由M1區(qū)向M3區(qū)轉(zhuǎn)換的過(guò)程中,電源電壓E,負(fù)載電阻RL與Z-元件的參數(shù)Vth 、Ith,必須滿(mǎn)足的條件-狀態(tài)方程為:
E= Vth +IthRL (7)
該方程仍然適用于磁敏Z-元件。
為了保證Z-元件工作在M3區(qū),P(Vth,Ith)點(diǎn)必須設(shè)定在負(fù)載線(xiàn)(E,E/RL)的左側(cè),并應(yīng)考慮溫度的影響,在應(yīng)用的溫度范圍內(nèi),能可靠地工作在M3區(qū)。
從解析圖中已知道,無(wú)磁場(chǎng)時(shí)工作點(diǎn)為Q1(Vf,IZ1),輸出為VO=VOL=Vf。加入300mT磁場(chǎng),P1(Vth1,Ith1)移至P2(Vth2,Ith2),P2點(diǎn)在直線(xiàn)(E,E/RL)的左側(cè),Q2(VZ2,IZ2)點(diǎn)在OP2上,這時(shí)的輸出為:VO=VOH=E- IZ2RL
當(dāng)磁場(chǎng)為B=0時(shí),VO又恢復(fù)為低電平,即VO=VOL=Vf。
2. 并聯(lián)電容器M1→M3,M3→M1互相轉(zhuǎn)換輸出脈沖頻率信號(hào)
Z-元件在磁場(chǎng)中產(chǎn)生的自激振蕩,其脈沖頻率信號(hào)往往不夠穩(wěn)定,因而采用Z-元件并聯(lián)電容器的方法,改善振蕩的穩(wěn)定性和電源電壓的適應(yīng)性。這個(gè)脈沖頻率信號(hào)是下降沿觸發(fā)的,其頻率受磁場(chǎng)的調(diào)制。
磁敏Z-元件的應(yīng)用可以把Z-元件與RL互換位置,其輸出信號(hào)是關(guān)于電源電壓E的互補(bǔ)信號(hào),參看表4-3,其信號(hào)變化幅度的絕對(duì)值|DVO|相等,前者輸出信號(hào)是由低電平上升為高電平,后者輸出信號(hào)是由高電平下降為低電平。
十、 磁敏Z-元件特性與應(yīng)用電路總結(jié)
磁敏Z-元件正向特性對(duì)磁場(chǎng)敏感,反向無(wú)磁敏特性。它的閾值點(diǎn)P(Vth,Ith)中,Vth為正磁系數(shù),Ith有較小的負(fù)磁系數(shù)。磁敏Z-元件也有兩個(gè)穩(wěn)定的工作狀態(tài),即VZ≥Vth時(shí)工作在低阻M3區(qū),當(dāng)VZ十一、磁敏Z-元件應(yīng)用示例
1. 流量脈沖傳感器
該流量傳感器,這是一個(gè)RL與磁敏Z-元件串聯(lián)的電路。Z-元件工作在M3區(qū),電源電壓E應(yīng)大于(Vth +IthRL),使之在允許的工作溫度范圍內(nèi),能可靠地工作在M3區(qū)。
由N、S磁極構(gòu)成的平行磁場(chǎng)固定在轉(zhuǎn)盤(pán)上,當(dāng)流體沖擊轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),只在磁極罩在磁敏Z-元件上的一瞬間,輸出端輸出一個(gè)高電平VOH,磁極離去時(shí),輸出為低電平VOL。轉(zhuǎn)盤(pán)上的磁
極對(duì)數(shù)根據(jù)實(shí)際需要選擇,兩個(gè)高電平的間隔時(shí)間tx是流量的函數(shù),經(jīng)過(guò)標(biāo)定以后,可編成查表程序用低功耗單片機(jī)進(jìn)行顯示,并需要輸出相應(yīng)信號(hào)。
轉(zhuǎn)速表的接觸式錐軸與磁極固定在一起,當(dāng)磁極被錐軸代動(dòng)一起旋轉(zhuǎn)時(shí),磁敏Z-元件在磁極作用下,輸出與圖14相同的信號(hào),進(jìn)行計(jì)數(shù)、顯示。當(dāng)N=1、S=1時(shí),磁極對(duì)數(shù)為P=1,計(jì)數(shù)器的閘門(mén)信號(hào)為t,直接計(jì)數(shù),顯示的即是轉(zhuǎn)速n[r/s]
t=1/p(s)
2. 報(bào)警傳感器
該報(bào)警傳感器采用圖15電路, 待機(jī)(安全狀態(tài))電平為高電平VOH=E-IZ2RL。
被保護(hù)的物品(貴重文物、家電、門(mén)窗等)與磁極巧妙地固定在一起,使之罩在磁敏Z-元件上,輸出信號(hào)為VOH表示正常待機(jī),即安全狀態(tài)。當(dāng)被保護(hù)的物品被非法移位,致使磁極與Z-元件分開(kāi),輸出信號(hào)由VOH變?yōu)閂OL時(shí),即發(fā)生了警情。用VOL信號(hào)去觸發(fā)報(bào)警裝置,發(fā)出聲光報(bào)警信號(hào)或自動(dòng)觸發(fā)并送出特種遠(yuǎn)傳報(bào)警尋求幫助,這些在技術(shù)上,都是非常容易實(shí)現(xiàn)的。磁敏Z-元件能以簡(jiǎn)單的電路實(shí)現(xiàn)諸多應(yīng)用,應(yīng)用示例很多,這里不再贅述。
十一、磁敏Z-元件研究中存在的問(wèn)題
我們對(duì)磁敏Z-元件工作機(jī)理和特性的探討做了大量工作,仍然有不少問(wèn)題需要進(jìn)一步探討:
1.磁場(chǎng)的磁力線(xiàn)與Z-元件管芯平面的法線(xiàn)垂直時(shí)靈敏度最高,但是,磁場(chǎng)改變了方向后和改變方向前兩者靈敏度不等的現(xiàn)象,尚未找到答案。
2.磁場(chǎng)由弱到強(qiáng)的變化,Vf的增加有跳躍式的變化,這種Z-元件在用于連續(xù)測(cè)量時(shí)就受到了限制。
3.磁敏Z-元件Vth一般較大(>10V) ,Vth較小的(<10V)往往靈敏度又較低。研制小Vth高靈敏度低溫漂的磁敏Z-元件是一項(xiàng)高投資、高風(fēng)險(xiǎn)、高技術(shù)的新的攻關(guān)課題。
Z-元件是一個(gè)全新的元件。無(wú)論是溫敏、光敏、磁敏還是力敏,進(jìn)一步提高其靈敏度改善其一致性和穩(wěn)定性,對(duì)于我們來(lái)說(shuō)都是一項(xiàng)新的攻關(guān)課題,歡迎業(yè)內(nèi)同仁和專(zhuān)家共同努力,開(kāi)創(chuàng)Z-元件研究的新紀(jì)元。