根據(jù)新華社消息,在美國《科學》雜志刊登一個報告中,中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件,可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、迅速。據(jù)了解,這項發(fā)明將有助于我國掌握集成電路的核心技術,讓中國的芯片設計和制造能力在國際上去的更多的話語權。
負責該項目的復旦大學教授王鵬飛說:“國集成電路產(chǎn)業(yè)主要依靠引進和吸收國外成熟的技術,在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管的成功研制將有助我國掌握集成電路的核心技術,從而在芯片設計與制造上逐漸獲得更多話語權。”
根據(jù)王鵬飛教授介紹,金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是目前集成電路中的主流器件,過去幾年的工藝進步,讓晶體管的尺寸不斷的縮小,越來越接近物理極限,這樣才迫切需求并催生出新的結構和原理的晶體管,半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內(nèi)嵌一個廣泛用于低功耗電路的裝置——隧穿場效應晶體管(TFET)制成。它的優(yōu)勢在于體積可更小,結構更簡單,讀寫速度更快,且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。
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晶體管研究重大創(chuàng)新 但需產(chǎn)業(yè)化領域發(fā)力?
在研究團隊的努力下,半浮柵晶體管兼容現(xiàn)有主流硅集成電路制造工藝。換句話說,若開發(fā)出芯片設計產(chǎn)品,制造企業(yè)無需更改原有生產(chǎn)設備即可加工制造。