最小最薄低內(nèi)阻雙電層電容器開始量產(chǎn)

時間：2013-09-12

來源：網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載

導(dǎo)語：新產(chǎn)品對材料和設(shè)計進行了優(yōu)化，抑制了高溫環(huán)境下的特性劣化，可在70℃溫度下維持5年的運轉(zhuǎn)壽命。

村田制作所日前發(fā)布了能夠在高溫環(huán)境下確保長期可靠性的“全球最小最薄”的雙電層電容器“DMT系列”。新產(chǎn)品主要用于SSD（固態(tài)硬盤）的數(shù)據(jù)備份和智能儀表的輔助電源。

圖：村田低內(nèi)阻雙電層電容器

據(jù)介紹，新產(chǎn)品對材料和設(shè)計進行了優(yōu)化，抑制了高溫環(huán)境下的特性劣化，可在70℃溫度下維持5年的運轉(zhuǎn)壽命。DMF的工作溫度上限為70℃，而DMT則為85℃。另外，DMT的ESR（等效串聯(lián)電阻）為130mΩ（1kHz時），遠遠大于DMF的40m～90mΩ。

新產(chǎn)品的額定電壓為4.2V，額定容量為470mF，封裝尺寸為21.0mm×14.0mm×3.5mm。已從2013年8月開始在福井村田制作所量產(chǎn)。

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