近日，我國南車株洲正式發(fā)布由我國自主研制的國內(nèi)第一款高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊，這標志著中國功率半導體器件行業(yè)IGBT技術達到了國際最高水平。
這是國內(nèi)目前唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相。該產(chǎn)品具有耐壓高、電流大，功率損耗低、動態(tài)性能好等優(yōu)點，其各項技術均填補了國內(nèi)行業(yè)空白。
IGBT中文名為“絕緣柵雙極型晶體管”。此前，高壓高功率密度IGBT技術幾乎全部被國外少數(shù)幾家企業(yè)壟斷，國內(nèi)還是一片空白，使得中國關鍵產(chǎn)業(yè)發(fā)展在很大程度上受制于人。從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，高壓高功率密度的IGBT應用領域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。
目前，中國已成為世界上IGBT產(chǎn)品最大的消費市場，以高速動車組、大功率機車、新能源裝備、電網(wǎng)為龍頭的國內(nèi)變頻產(chǎn)業(yè)每年的IGBT需求量超過50億元,而且每年以15%以上的速度增長。自2011年開始，南車株洲所對該項高端技術進行自主攻關，此次芯片研制的成功實現(xiàn)了中國在高端IGBT技術領域與國際先進水平接軌，對我國加強綜合實力和提升國際地位具有重要意義。
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