香港,2017年12月27日-(亞太商訊)-全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統(tǒng)稱“集團”，股份代號：1347.HK)今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存(90nmG2eFlash)工藝平臺已成功實現(xiàn)量產，技術實力和競爭力再度加強。
華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存(90nmG1eFlash)工藝技術積累的基礎上，于90nmG2eFlash工藝平臺實現(xiàn)了多方面的技術提升。90nmG2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術的最小尺寸。此外，90nmG2采用了新的FlashIP設計架構，在保證高可靠性(即10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力)的同時，提供了極小面積的低功耗FlashIP。因此，90nmG2eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數(shù)量，尤其對于具有高容量eFlash的芯片產品，90nmG2eFlash的面積優(yōu)勢更為顯著。值得一提的是，90nmG2eFlash在第一代的基礎上又縮減了一層光罩，使得制造成本更低。
目前，90nmG2eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產，成功用于大規(guī)模生產電信卡芯片，并將為智能卡芯片、安全芯片產品以及MCU等多元化產品提供更具性價比的芯片制造技術解決方案。
華虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nmG2eFlash工藝的成功量產，標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲器技術是我們的戰(zhàn)略重點之一，長期以來憑借著高安全性、高穩(wěn)定性、高性價比以及技術先進性在業(yè)界廣受認可。作為全球領先的智能卡IC代工廠，華虹半導體將堅持深耕，不斷優(yōu)化工藝，升級平臺，持續(xù)領航智能IC卡代工領域，并大力發(fā)力物聯(lián)網、新能源汽車等高增長新興市場?！?/P>
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