近日中芯國(guó)際發(fā)布了2019年財(cái)報(bào)，下面我們來(lái)看看它在過(guò)去一年表現(xiàn)如何？

從財(cái)報(bào)看，中芯國(guó)際2019年全年?duì)I收為31.16億美元，同比下降7.3%，是2014年以來(lái)首次回調(diào)。具體分析來(lái)看，中國(guó)大陸及中國(guó)香港合計(jì)營(yíng)收為18.51億美元，占比59.5%；北美營(yíng)收為8.21億美元，比26.4%；其他地區(qū)營(yíng)收為4.44億美元，占比14.1%。

與2018年相比，2019年中芯國(guó)際在中國(guó)大陸（含香港）及北美的營(yíng)收下滑明顯，尤其是北美洲的營(yíng)收大幅下降了22.69%。不過(guò)占比方面，2019年中國(guó)大陸的比重有所提升，達(dá)到59.5%。

毛利率方面，中芯國(guó)際2019年錄得6.43億美元，同比下降16.2％。不過(guò)凈利潤(rùn)經(jīng)過(guò)連續(xù)3年下滑后，2019年提升明顯，合計(jì)錄得2.35億美元，在營(yíng)收下降的情況下，凈利潤(rùn)表現(xiàn)亮眼。 

從工藝制程上看，2019年中芯國(guó)際90nm以下先進(jìn)制程收入占比略有提升，達(dá)到50.7%，最為亮眼的是，由于第一代14nmFinFET開(kāi)始量產(chǎn)，為中芯國(guó)際贏得了1％的營(yíng)收。從目前國(guó)內(nèi)的產(chǎn)業(yè)升級(jí)需求來(lái)看，預(yù)計(jì)2020年中芯國(guó)際在14nm及更先進(jìn)制程上的營(yíng)收將會(huì)有不錯(cuò)表現(xiàn)。

技術(shù)上，中芯國(guó)際在14nm的基礎(chǔ)上推出了N+1及N+2代FinFET工藝，N+1工藝相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%，除了性能達(dá)不到7nm的35％提升外，其他關(guān)鍵指標(biāo)都已經(jīng)與7nm工藝相差不大，因此也被外界將N+1等同于7nm工藝看待，預(yù)計(jì)今年底會(huì)進(jìn)入限量生產(chǎn)階段。

下一代N+2工藝更接近與7nm工藝，不過(guò)目前還在開(kāi)發(fā)階段。

近年來(lái)中芯國(guó)際愈發(fā)受到關(guān)注的原因，除了其在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的重要地位外，與華為也是緊密相關(guān)，甚至成為了頂替臺(tái)積電的不二備胎之選。

美國(guó)持續(xù)打壓華為，即便其國(guó)內(nèi)疫情嚴(yán)重也不忘記限制華為，近日擬調(diào)整“直接產(chǎn)品規(guī)則”，規(guī)定使用美國(guó)芯片制造設(shè)備的外國(guó)公司必須先獲得美國(guó)許可證，這其實(shí)就是在變相逼迫臺(tái)積電終止對(duì)華為的代工支援。

如果美國(guó)陽(yáng)謀得逞，那么中芯國(guó)際能否“備胎”轉(zhuǎn)正？

其實(shí)這還有很長(zhǎng)的路要走。目前支撐華為強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力的，正是其由臺(tái)積電代工的7nm高端芯片，如果臺(tái)積電斷供，華為很難從技術(shù)路線模仿臺(tái)積電的三星、總部位于美國(guó)的格羅方德（沒(méi)有7nm工藝）、極少承接外單的美國(guó)公司英特爾處獲得支持，唯獨(dú)選擇中芯國(guó)際。

實(shí)際上中芯國(guó)際的設(shè)備也是引進(jìn)自歐美日國(guó)家，若按美國(guó)的陽(yáng)謀規(guī)則同樣會(huì)對(duì)華為限制。即便強(qiáng)行支援，中芯國(guó)際最大的短板在于工藝制程，目前到未來(lái)一段時(shí)間都難以達(dá)到華為的要求。

反觀臺(tái)積電、三星，已經(jīng)在布局5nm（已經(jīng)量產(chǎn)）、3nm、2nm。如果華為選用中芯國(guó)際，將會(huì)在制程上落后1-2代，這對(duì)一家國(guó)際性公司來(lái)說(shuō)，容不得任何落后，否則將喪失好不容易取得的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

從這個(gè)角度來(lái)說(shuō)，華為在芯片代工方面，未來(lái)幾年仍處于無(wú)備胎可用狀態(tài)。

而美國(guó)也正是看中了這一點(diǎn)，持續(xù)加大對(duì)華為的打擊力度，利用中芯國(guó)際崛起的空窗期壓制華為。

中芯國(guó)際雖然成功繞開(kāi)EUV光刻機(jī)并推出了N+1制程工藝，這是一個(gè)很了不得的成就；但未來(lái)如果沒(méi)有更先進(jìn)的制造設(shè)備，中芯國(guó)際在原有條件下很難取得大的突破，更難以成為華為的備胎。

更糟糕的情況是，中芯國(guó)際預(yù)定的第一代EUV光刻機(jī)回國(guó)之路遙遙未知期；而三星、臺(tái)積電早已將目光看向第二代EUV光刻機(jī)了，一旦他們拿到貨，把芯片頂級(jí)制程工藝推進(jìn)到2nm、1nm將成為可能。