隨著集成電路工藝向7nm及以下節(jié)點推進，13.5nm波長的EUV光刻成為核心技術(shù)。
但EUV光源反射損耗大、亮度低，對光刻膠在吸收效率、反應機制和缺陷控制等方面提出更高要求。
現(xiàn)有EUV光刻膠多依賴化學放大或金屬敏化團簇提高靈敏度，但往往結(jié)構(gòu)復雜、組分不均、易擴散，容易引入缺陷。
學界認為，理想的EUV光刻膠應具備四項特性：高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子均一性和盡可能小的構(gòu)筑單元，以提升靈敏度、降低缺陷和線邊緣粗糙度。
許華平團隊基于此前發(fā)明的聚碲氧烷，開發(fā)出一種全新EUV光刻膠，滿足上述條件。
研究中，團隊將高EUV吸收元素碲(Te)通過Te–O鍵引入高分子骨架，利用碲優(yōu)異的EUV吸收能力和較低的Te–O鍵解離能，實現(xiàn)高吸收、高靈敏度的正性顯影。
這一光刻膠由單組分小分子聚合而成，在簡潔設計下整合理想特性，為下一代EUV光刻膠的開發(fā)提供了可行路徑。
清華大學表示，該研究提出的融合高吸收元素Te、主鏈斷裂機制與材料均一性的光刻膠設計路徑，有望推動下一代EUV光刻材料的發(fā)展，助力先進半導體工藝技術(shù)革新。
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