[b]吸收突波高頻電容器 產(chǎn)品介紹[/b] 應(yīng)用： IGBT 模塊突波吸收，高頻、大電流、高脈沖線路 材料特性 電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu) 封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合（UL94V-0 ）標準. 尺寸: 參考下頁資料，能適合任何品牌的IGBT 模塊 尺寸。（可按客戶需求定制特殊規(guī)格） 電氣特性 電容量: 0.047μF to 5.6μF, 參考表格數(shù)據(jù) 額定電壓: 700,850,1000,1200,1500,2000,2500 ，3000VDC 損耗角正切: 測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF 測試條件 1 minute，100Vdc （25±5℃） 耐電壓: 2Ur （DC）測試條件 10s，t 25±5℃，1Min 工作溫度: -40～+85℃ 最大許可環(huán)境溫度: +70℃ （額定功率、電流,自然散熱條件下工作）電容量對時間的變化 : -3% ，30,000 小時（有效電壓工作狀態(tài)），或100,000 hours （額定電壓工作狀態(tài)）