消息稱三星電子推動西安工廠閃存工藝進一步升級:年內(nèi)建成 V9 NAND 產(chǎn)線
導(dǎo)語:2 月 13 日消息,韓媒 SEDaily 昨日報道稱,三星中國西安 NAND 閃存工廠在將制程從第六代 V-NAND(IT之家注:136 層)轉(zhuǎn)換至第八代(238 層)的基礎(chǔ)上,還計劃在年內(nèi)建設(shè)第九代(286 層)產(chǎn)線。
報道宣稱,三星西安 NAND 廠生產(chǎn) V9 NAND 所需的新設(shè)備將于今年上半年導(dǎo)入,目標是到年底建成晶圓吞吐量達每月 2000~5000
片的產(chǎn)線。
三星電子在去年先后宣布其基于第九代 V-NAND 技術(shù)的 TLC 和 QLC 顆粒量產(chǎn),目前相關(guān)產(chǎn)品正在其韓國平澤 P4 工廠制造。而三星下代堆疊達
4XX 層的 V10 NAND 預(yù)計將于 2 月 19 日在 ISSCC 2025 上對外公布。
韓媒認為,三星正通過制程升級轉(zhuǎn)換來提升高性能、高容量、高盈利能力的“三高”先進節(jié)點 NAND
在其整體產(chǎn)能中的占比,應(yīng)對目前情況不佳的閃存市況;同時工藝變動帶來的自然減產(chǎn)也能加速供需平衡的到來。
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