現(xiàn)在，有供應(yīng)鏈人士表示，華為今年四季度會(huì)有新的麒麟處理器公布，其會(huì)有幾個(gè)型號。
按照專業(yè)人士的說法，既然敢公布麒麟處理器的名字，就可以確認(rèn)全部國產(chǎn)，美國的制裁已經(jīng)不起作用了，確實(shí)要贊。
那么麒麟9030會(huì)是怎樣的呢?按照之前鯤鵬930曝光的細(xì)節(jié)看，其有可能會(huì)使用5nm工藝。
之前就有博主爆料稱，外界盛傳的國產(chǎn)N+3(外界盛傳達(dá)到125mtr)工藝消息大概率是靠譜的，因?yàn)閷＠@示的H210G56指標(biāo)，計(jì)算下來就是125mtr的布線密度。
博主表示，如果真成了，那也意味著國產(chǎn)5nm工藝就達(dá)成穩(wěn)了。
據(jù)悉，中芯國際的N+3工藝具有顯著的晶體管密度，達(dá)到了125MTr/mm(即每平方毫米125億個(gè)晶體管)。這一密度介于臺(tái)積電的N6(113MTr/mm)與三星早期的5nm(127MTr/mm)工藝之間，相當(dāng)于臺(tái)積電的5.5nm工藝水平。
若以14nm工藝為基點(diǎn)(密度約35MTr/mm)，N+3的密度提升幅度超過了250%，這標(biāo)志著中芯國際在FinFET架構(gòu)上的持續(xù)優(yōu)化能力。
盡管N+3的命名容易讓人聯(lián)想到“等效5nm”，但其實(shí)際性能功耗表現(xiàn)對標(biāo)的是臺(tái)積電的N7P(7nm增強(qiáng)版)和N6工藝。
這意味著在相同晶體管數(shù)量下，中芯國際N+3的能效可能比臺(tái)積電的N5/N4工藝落后約15%~20%，這主要受限于EUV光刻機(jī)的短缺導(dǎo)致的工藝復(fù)雜度不足。然而，對于長期依賴成熟制程的國產(chǎn)芯片而言，這一進(jìn)步已經(jīng)足夠打破多項(xiàng)技術(shù)瓶頸。
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